产品详情
Optodiode近红外发光二极管,高光输出,耐辐射性高
Optodiode近红外发光二极管的型号
型号 | 零件号 | 描述 | 输出功率 |
OD-800F | OD-810-005 | 高辐射抗辐射窄角红外810nm发射器 | 3mW |
OD-800L | OD-810-003 | 高辐射抗辐射中角红外810nm发射器 | 3mW |
OD-800W | OD-810-002 | 高辐射抗辐射广角红外810nm发射器 | 3mW |
OD-850F | OD-850-004 | 窄角TO-46 850nm发射器 | 30mW |
OD-850FHT | OD-850-010 | 窄角TO-46 850nm发射器,高温 | 22mW |
OD-850L | OD-850-003 | 中角TO-46 850nm发射器 | 35mW |
OD-850LHT | OD-850-009 | 中角TO-46 850nm发射器,高温 | 25.5mW |
OD-850W | OD-850-002 | 广角TO-46 850nm发射器 | 40mW |
OD-850WHT | OD-850-008 | 广角TO-46 850nm发射器,高温 | 27.5mW |
Optodiode近红外LED中OD-800F型号特征
• 高光输出、810nm峰值发射、密封金属TO-46封装、窄角度,
适合长距离应用、耐辐射性高、优异的功率衰减特性、快速响应、提供 MIL-S-19500 筛查、无内部涂层
在IF=100mA时,总功率输出最小值是1.5mW,典型值是3mW。IF=50mA,峰值发射波长810nm,光谱带宽在50%典型值是50nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.45V,值1.8V。IR=10μA,反向击穿电压最小值是3V,典型值4V。VR=0V,电容典型值是150pF。上升与下降时间都是60纳秒。
参数单位:功耗180mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs,150Hz)3A,反向电压3V,引线焊接温度240°C。
存储和工作温度范围-65°C至150°C,结温150°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W。
OD-800L、OD-800W与OD-800F型号参数差不多,除了角度不一样,IF=50mA,OD-800L半强度光束角是35°,OD-800W半强度光束角是80°。
近红外发光二极管(IRLED)采用宽、中或窄输出模式制造,采用坚固的气密密封封装。金属外壳是散热的理想选择,工作温度范围为 -65°C 至 +150°C。光电二极管的IRLED提供广泛的线性功率输出,并提供高速等级。
Optodiode近红外发光二极管有窄角、中角、广角三种类型,窄角近红外发光二极管半强度光束角是8°,中角近红外发光二极管半强度光束角是35°、广角半强度光束角是80°,不同角度的近红外发光二极管输出功率不一样。
Optodiode近红外LED采用TO-46密封封装,具有高光输出,耐辐射性高等特点。窄角近红外发光二极管适合长距离应用,中角近红外发光二极管发射角中等可以实现覆盖范围/功率密度,广角近红外发光二极管发射角度广,覆盖大面积。Optodiode近红外发光二极管有810nm和850nm两种波长。
窄角、中角、广角三种类型近红外发光二极管的区别
OD-850F窄角近红外发光二极管工作温度-40°C-100°C,视角8°,波长850nm,电流直流值100mA,正向电压典型值1.6V。
OD-850F窄角近红外发光二极管具有高光输出、850nm峰值发射、密封TO-46封装、窄角近红外发光二极管适合长距离应用等特点。
OD-850F窄角近红外发光二极管在IF=100mA时,总功率输出最小值是22mW,典型值是30mW。IF=20mA,峰值发射波长850nm,光谱带宽在50%典型值是40nm,半强度光束角是8°。IF=100mA,正向电压典型值1.6V,值2V。IR=10μA,反向击穿电压最小值是5V,典型值30V。IFP=50mA,上升与下降时间都是20纳秒。
OD-850F窄角近红外发光二极管参数单位:功耗200mW,连续正向电流100mA,峰值正向电流(10μs,200Hz)300mA,反向电压5V,引线焊接温度260°C。
OD-850F窄角近红外发光二极管存储和工作温度范围-40°C至100°C,结温100°C,热阻1典型值400°C/W,热阻2典型值135°C/W。
OD-850L中角、OD-850W广角除了输出功率和角度与OD-850F窄角不一样,其他参数都一样。在IF=100mA时,OD-850L总功率输出最小值是25mW,典型值是35mW,半强度光束角是35°。在IF=100mA时,OD-850W总功率输出最小值是30mW,典型值是40mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°。
OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT除了输出功率、角度和工作温度与OD-850F不一样,其他参数都一样。OD-850FHT总功率输出最小值是17mW,典型值是22mW,半强度光束角是8°;OD-850WHT输出功率典型值是26mW,半强度光束角最小值是70°典型值是80°;OD-850LHT总功率输出最小值是18mW,典型值是22mW,半强度光束角是35°。OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT存储和工作温度范围-65°C至150°C,结温150°C。
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