GTL2002D 2位双向低电压变换器

概述

射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低ON状态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2002提供2个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管（Sn和Dn）和一个参考晶体管（SREF和DREF）。该器件允许1.0 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。

当Sn或Dn端口为低电平时，钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上为更高的电压，当Dn端口为高电平时，Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时，上拉电阻会将Dn端口上拉至VCC。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。

所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管相同，所以可在任何其他两个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF，允许更方便的电路板布局。转换器的晶体管为低电压器件提供良好的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。

特性

2位双向低电压变换器

允许1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线（允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平）之间的电压电平变换

提供双向电压变换，无方向引脚

输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)

支持热插入

无需电源；不会闭锁

5 V耐受输入

低待机电流

直通引出线便于印刷电路板走线排布

ESD保护：超过2000 V HBM（根据JESD22-A114）；超过1000 V CDM（根据JESD22-C101）

提供的封装：SO8、TSSOP8 (MSOP8)、VSSOP8、XQFN8