产品详情
电流 | 电压 | 电阻 | 充电 | 源 |
---|---|---|---|---|
10aA - 100mA | 1µV - 200V | 1µΩ - >20TΩ | - | 0 - ±200V |
半导体测量
基于FET元件中的栅 极漏电或沟道漏电会在 MOSFET、FET、模拟开关和许 多其它电路中产生误差。通 过允许研究人员测量极低电 平的电流和电压,6430能帮 助他们了解这些元件的设计 局限以及研究替代器件的结 构或材料。
SET研究
6430具有的优秀低电流测量能力(<0.4fA峰峰值)使其对于单电子晶体管 (SET)和量子点研究非常有用。使用类似于锁定的技术,6430能以1aA灵敏度测量 电流(10–18A=6电子/秒)。
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