GaSe晶体, AGSe晶体, CdSe晶体 激光器件

非线性晶体，GaSe晶体, AGSe晶体, CdSe晶体

硒化镓（GaSe）是一种六边形晶体，主要用于远红外波段的二次谐波产生。硒化镓具有极低的莫氏硬度，使其非常脆弱，消除了应用机械处理或涂层的可能性。3photon可以提供沿光轴Z切割的气体晶体。

大的非线性光学（NLO）系数使得AGSe成为非线性光学（NLO）应的红外晶体之一。与AGS相比，硒铝酸银（AGSe）具有红外吸收系数低、熔点低等优点。

近年来，人们采用了几种晶体生长方法来生长CdSe单晶和多晶材料。化学气相输运、固态再结晶、温度梯度溶液区生长、高压垂直区熔是获得高质量CdSe晶体的主要方法。3photon可以随时为晶体生长提供专业建议。CdSe抛光后，可根据要求对材料进行涂层处理。内部涂层由经验丰富的涂层工程师进行建模和沉积。

GaSe晶体特点：

- GaSe是非常软的材料，不能进行抛光或涂层程序；

-透明度范围：900-16000nm；

-只能在一个平面（001）上切割；

-由于高折射率和可用的方向限制，只能使用较小的θ角；

-较便宜的替代AGS或AGSe，可产生2400 nm–20000nm或太赫兹输出。

GaSe晶体典型应用：

-GaSe电子和光学应用:

高功率飞秒激光器；

太赫兹（THz）产生；

宽带中红外（MIR）电磁波产生的替代方案；

在中红外（MIR）中产生二次谐波（SHG），用于CO、CO2、染料激光器等。；

上转换：红外（IR）到近红外（NIR）范围；

光学参量产生（OPG）在3–16µm范围内。

AGSe晶体特点：

-宽的3光子红外晶体的透明度范围从1100纳米到18微米；

-大的非线性光学（NLO）系数（deff=~27-33 pm/V）；

-宽光谱和角度接受；

-生长过程复杂，价格昂贵；

-非线性大约是AGS的2-3倍；

-高损伤阈值涂层可用于中红外（MIR）和红外（IR）范围。

AGSe晶体典型应用：

-CO（5-6μm）和CO2（10.6μm）激光系统的有效二次谐波产生（SHG）；

-Ho:YLF（2050nm）泵浦的光学参量振荡器（OPO），输出可调范围为2.5～12μm；

-中红外和远红外区域的不同频率发生器，其红外截止波长约为18µm；

-作为ZGP晶体的替代品，OPA为2.09μm->3-5μm；

-在第二阶段（在OPO以800 nm泵浦后）以产生7-20μm的更长波长。

CdSe晶体特点：

-低光吸收。

-宽带特定传输范围：2.5μm至16μm。

CdSe晶体典型应用：

-红外偏振光学：红外偏振器和红外波片。

-红外光学元件，如红外分束器、红外二色反射镜和红外窗口。

-纳米颗粒（如纳米AWS、纳米管和纳米线）。

-光学参量发生器（OPG）。

-光学参量振荡器。

-DFM变频器。