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更新时间:2024-04-06
有效日期:还剩65天
产品详情
系列8 – 高速/高增益
型号
有效面积
暗电流(nA)
击穿电压(V)
电容
上升时间
温度系数
噪声等效功率
芯片
封装
尺寸(mm)
面积(mm2)
@M=100
@ID = 2μA
M=100(pF)
@M=100(ps)
UBR (V/K)
(W/Hz1/2)
AD100-8
TO52S1
?0.100
0.00785
0.05
120-190
0.8
<180
典型值:0.45
3×10-15
AD230-8
?0.230
0.042
0.3
1.2
180
1×10-14
LCC6.1
AD500-8
?0.500
0.196
0.5-1
2.2
350
2×10-14
TO52S2
AD800-8
TO5i
?0.800
0.50
2.0
5.0
700
4×10-14
AD1100-8
?1.130
1.00
4.0
8.0
1000
8×10-14
AD1900-8
?1.950
3.00
15.0
20.0
1400
1.5×10-13
AD2500-8
?2.520
5.00
28.0
1500
3×10-13
AD3000-8
?3.000
7.07
30.0
45.0
2000
4.5×10-13
AD5000-8
TO8i
?5.000
19.63
60.0
120.0
3000
9×10-13
系列9 – 近红外增强响应
AD230-9
0.5
180-240
500
典型值:1.55
TO52S3
AD500-9
550
AD800-9
1300
AD1100-9
3.0
AD1900-9
AD2500-9
12.0
AD3000-9
18.0
AD5000-9
阵列
AA16-9
DIL18
0.648×0.208
0.135
100…300
AA16D-9
SOJ22GL
1.000×0.405
0.405
AA8-9
1.5
AA16-0.13-9
-
系列10 – 1064nm 增强
电容(pF)
上升时间(ns) Vop
噪声电流
@Vop
@Vop 100kHz
@1064nm,50Ω
VBR Tk(V/K)
@Vop (A/Hz1/2)
AD500-10
? 0.500
5
320-500
典型值:3.5
典型值:1×10-12
AD1500-10
? 1.500
1.77
10
300-500
1.9
8
注:Vop – 工作电压
系列11 – 蓝光增强
上升时间 (ns)
噪声电流(A/Hz1/2)
@M=100,100kHz
@410nm,50Ω
AD800-11
? 0.800
1.0
100-200
2.5
1
典型值:0.88
AD1900-11
? 1.950
10.0
2
2.5×10-14
系列12 – 红光增强/高速
击穿电压
截止频率
(nA)
(V)
(pF)
(GHz)
AD230-12
? 0.230
0.1
60-120
3
典型值:0.2
AD500-12
0.2
4.5
联系我时,请说明是在仪表网上看到的,谢谢
IMM-17AT倒置金相...
IMM-20BD倒置金相...
IMM-17BT倒置金相...
IMM-20倒置金相显...
MM2030A金相显微...
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