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产品详情

单晶硅压力变送器报价

工作原理

单晶硅远传差压变送器传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

单晶硅压力变送器报价

功能参数

量程限	在量程的上下限范围内，可以任意设置，只要标定量程≥设置量程。建议选择量程比尽可能低的量程，以优化性能。
安装位置影响	安装位置的变化，会发生零位影响，可以通过调零校正，无量程影响。
输出	两线制4-20mA，符合NAMIR NE43规范，叠加数字信号（Hart协议）
输出信号极限	Imin（最小）:3.9mA Imax（）=21.0mA
报警电流	低报模式（最小）：3.9mA 高报模式（）：21mA （用户可预设定）
报警电流默认设置	高报模式
故障警告	如果传感器或电路出现故障，自动诊断功能自动输出22.0mA
响应时间	放大器部件阻尼常数为0.1s；传感器时间常数为0.1～1.6s，取决于量程及量程比。附加的可调时间常数为：0～100s
预热时间	<15s

电磁兼容性(EMC)

A、射频辐射试验

试验场强	频率范围	EUT放置	极化方向	检测结果
3V/m	80MHz-1GHz	正立	水平极化	受试样品内存数据不变
3V/m	80MHz-1GHz	正立	垂直极化	受试样品内存数据不变

B、工频磁场抗扰度试验

磁场强度	检验结果
400A/m（X、Y、Z）	受试样品内存数据不变

产品装配分解图

外型尺寸

<strong><strong>单晶硅压力变送器</strong></strong>.png

表压范围和量程

量程代码	测量范围（KPa）	测量量程（KPa）	精度 / 稳定性
A	-6～6	0～1～6	量程±0.075%F.S/每年误差为量程的±0.1% （不含A量程）
B	-40～40	0～6～40
C	-100～100	0～40～100
D	-100～400	0～100～400
E	-100～4000	0～400～4000
F	-100～40000	0～4000～40000