IRFB9N60A/IRFBG30/IRFP064V N沟道场效应晶体管

星际金华提供 IRFB9N60A/IRFBG30/IRFP064V N沟道场效应晶体管！！！

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IRFB9N60A：

FET 类型 N 沟道    
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.2A（Tc）    
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）      10V  
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）    4V @ 250µA    
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）    49nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs     10V  
Vgs（zui大值）±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）1400pF    
电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds  25V          
FET 功能      -  
功率耗散（zui大值）    170W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）    750 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装TO-220AB        
封装/外壳TO-220-3

IRFBG30：

FET 类型 N 沟道    
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.1A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）      10V  
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）    4V @ 250µA    
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）    80nC    
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs     10V  
Vgs（zui大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）980pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds  25V          
FET 功能      -  
功率耗散（zui大值）    125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）5 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装TO-220AB        
封装/外壳TO-220-3

IRFP064V：

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    130A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）    10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）    260nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs    10V
Vgs（zui大值）    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）    6760pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds    25V
FET 功能    -
功率耗散（zui大值）    250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）    5.5 毫欧 @ 78A，10V
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装    TO-247AC
封装/外壳    TO-247-3

以上产品由星际金华*现货供应，因网上所发布的信息仅供参考，价格也均不是实价，对此感兴趣的商友，咨询订购。