产品详情
SI雪崩光电二极管
特点:
高速率
低暗电流
平面正照结构,进口芯片
应用:
测距
物理化学过程的快速光信号探测
用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
光电特性(T = 22℃):
参 数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
光谱响应范围(nm) | λ | 400~1100 | |
光敏面直径(um) | Φ230 Φ500 | ||
响应度(A/W) | Re | 60 | 900nm |
工作电压(V) | vR | 120 | f=1MHz, |
击穿电压(V) | vBR | 140 | Ir=10uA, |
暗电流(nA) | ID | 5 | |
总电容(pF) | Cj | 0.8 | f=1MHz |
响应时间(ns) | tr | 0.7 |
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