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硅光电倍增管（SiPM）

具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器，是光电倍增管的有效替代品之一，优势在于其高增益特性、响应速度快和低工作电压，还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。芯片级封装（CSP）采用无边框硅光电倍增管冲模，提供经济高效的解决方案，以此大限度地扩大活跃区面积。

典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。

特性：
● 出色的单光子探测灵敏度
● 光检测工作距离长（响应波长：350至900nm）
● 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2
● 击穿电压一致性
● 良好的温度稳定性
● 高增益 (106)
● 定时性能好
● 对磁场不敏感
● 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器
● 芯片级封装（CSP）符合RoHS要求

近紫外线（NUV）硅光电倍增管

芯片封装	有效面积(mm)	像素尺寸(μm)	像素	填充因子	暗计数率(kHz/mm2)	光子探测效率 (%)	增益
SMD	1x1	40x40	625	60	<50 @ 2 V OV	43	3.6x10⁶
					<100 @ 6 V OV
SMD	1.2	40x40	673	60	<50 @ 2 V OV	43	3.6x10⁶
					<100 @ 6 V OV
SMD	3x3	40x40	5520	60	<50 @ 2 V OV	43	3.6x10⁶
					<100 @ 6 V OV
SMD	4x4	40x40	9340	60	<50 @ 2 V OV	43	3.6x10⁶
					<100 @ 6 V OV

红绿蓝3通道(RGB)硅光电倍增管

芯片封装	有效面积(mm)	像素尺寸(μm)	像素	填充因子	暗计数率(kHz/mm2)	光子探测效率(%)	增益
SMD	1x1	40x40	625	60	<100 @ 2 V OV	32.5	2.7x10⁶
					<200 @ 4 V OV
SMD	1.2	40x40	673	60	<100 @ 2 V OV	32.5	2.7x10⁶
					<200 @ 4 V OV
SMD	3x3	40x40	5520	60	<100 @ 2 V OV	32.5	2.7x10⁶
					<200 @ 4 V OV
SMD	4x4	40x40	9340	60	<100 @ 2 V OV	32.5	2.7x10⁶
					<200 @ 4 V OV