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磁控溅射是物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition, PVD)的一种。一般用于制备金属、半导体、绝缘体等薄膜材料，具有设备简单、易于控制、效率高，面积大等优点。
磁控溅射原理：通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
技术参数：
1 本底真空：10-7Torr到10-9Torr；
2 单基片设计，尺寸可定制，常规尺寸2-6英寸；
3 基片可旋转并加热：300℃/500℃/800℃；
4 最多可拓展8支磁控溅射靶枪，可共溅射；
5 靶枪角度可调，溅镀距离可调，可升级强磁靶；
6 可选配多路气路；
7 防交叉污染隔板设计；
8 可配备离子束辅助沉积；
9 可配备样品预清洗功能；
10 可配备快速进样室；
11 可配备自动压力控制系统；
12 全自动操作系统；
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