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| 测量原理
激光干涉法适用范围 可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8（INCH）直径的圆型晶片
测量精度及量程
1、关于厚度
厚度量程：100---2000um，测量精度与 WAFER 表面光洁度有关，即： 测量重复精度（砷化镓等二代半导体类双拋表面 WAFER）：±0.3um ; 测量重复精度（碳化硅等三代半导体类研磨表面 WAFER）: ±0.5um ; 测量重复精度（蓝宝石类单拋表面 WAFER）：±0.5um ; 2、关于平面度/表面形态参数测量精度 |
测量精度：±0.06μm 重复性精度：±0.03μm 分辨率：±0.005μm
像素点数：≥250000 3、分选速度
为了保证不造成对 WAFER 表面造成损伤，研究人员建议的安全分选速度为： 100 片/小时左右。
摘要:ALC-2100型频率自动研磨测
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摘要:ALC-SI型自动研磨厚度测控
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摘要:LINT-208G自动型WAFER平坦度测试仪
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摘要:TCS-A型电涡流在线研磨厚度
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摘要:WMS-208AT型激光非接触式厚
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