单晶硅压力传感器型号

单晶硅压力传感器型号

产品特点

■ 双膜片过载结构

■ 高精度，稳定性±0.05%F.S./年  

■ 可选多种隔离膜片材质，满足防腐要求

 单晶硅压力传感器型号

技术参数

供       电: 恒压（3VDC-5VDC）

满点输出电压：≥100mV@3.3VDC供电

零点温度影响：±0.05%F.S./℃

温度滞后: ＜±0.1% F.S. （10kPa ≤敏感元件量程 ≤1MPa）

              ＜±0.5% F.S. （敏感元件量程<10kPa）

压力滞后: ＜±0.05% F.S.

*漂移: ＜±0.05% F.S./年

非线性误差：＜±0.3% F.S. （10kPa ≤敏感元件量程 ≤1MPa）

                   ＜±1.3% F.S. （敏感元件量程 ≤10kPa）

静压影响:＜±0.1% F.S. /10MPa（10kPa ≤敏感元件量程 ≤1MPa）

             ＜±0.15% F.S. /10MPa（敏感元件量程 ≤10kPa）

膜片材质: 316L/ 哈氏合金 C

接线盒连接：M27X2外螺纹

过程连接：H型结构，双法兰，过程连接内螺纹1/4-18NPT，法兰后端自带排液排气阀，316不锈钢

使用环境：

环境温度：  (-20~70)℃  

温度补偿：  (0~50)℃  

相对湿度：  <95%  

大气压力：  (86~106)kPa  

存储温度：  (-40~85)℃

工作原理
传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。