产品详情
单晶硅压力变送器读数用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力,然后将其转变成4-20mAHART电流信号输出,也可与HART375或BST Modem相互通信,通过他们进行参数设定、过程控制。与传统压力变送器的区别在于它使用的是纳米单晶硅作为传感器材料。
单晶硅压力变送器读数HR3051-DGP/DAP型差压安装式表压/绝压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力,然后将其转变成4~20mADC HART电流信号输出。HR3051-DGP/DAP也可与RST375手持终端或RSM100 Modem 相互通信,通过它们进行参数设定、过程监控等。
标准规格
(以标准零点为基准调校量程,不锈钢 316L膜片,填充液为硅油)
1性能规格
调量程的参考精度
(包括从零点开始的线性、回差和重复性)
± 0.075%
若TDgt;10 (TD=量程/调节量程),则为:
±(0.0075×TD)%
环境温度影响
量程代码-20℃~65℃总影响量
B/L±(0.30×TD+0.20)%×Span
其它±(0.20×TD+0.10)%×Span
量程代码-40℃~-20℃和65℃~85℃总影响量
B/L±(0.30×TD+0.20)%×Span
其它±(0.20×TD+0.10)%×Span
过范围影响:±0.075%×Span
长期稳定性
量程代码影响量
B/L ±0.2%×Span/1年
其它 ±0.1%×Span/1年
电源影响
±0.001% /10V (12~42V DC),可忽略不计
2功能规格
量程和范围(HR3051-DGP型表压变送器)
量程/范围kPabar
B量程0.6~66~60mbar
范围-6~6-60~60mbar
C量程2~400.02~0.4
范围-40~40-0.4~0.4
D量程2.5~2500.025~2.5
范围-100~250-1~2.5
E量程20~20000.2~20
范围-100~3000-1~30
G量程0.1~10MPa1~100
范围-0.1~10MPa-1~100
H量程0.21~21 MPa2.1~210
范围-0.1~21 MPa-1~210
I量程0.4~40 MPa 4~400
范围-0.1~40 MPa-1~400
量程和范围(HR3051-DAP型绝压变送器)
量程/范围kPabar
L量程2~400.02~0.4
范围0~400~0.4
M量程2.5~2500.025~2.5
范围0~2500~2.5
O量程30~30000.3~30
范围0~30000~30
量程限
在量程的上下限范围内,可以任意调整。建议选择量程比尽可能低的量程代码,以优化性能特征。
零点设置
零点和量程可以调节到表中测量范围内的任何值,只要:标定量程≥小量程
安装位置影响
与膜片面平行方向的安装位置变化不会造成零漂影响,若安装位置与膜片面超过90°的变化,有lt;0.4kPa范围内的零位影响,均可以通过调节调零校正。无量程影响。
输出
2线制,4~20mADC,可选HART输出数字通讯,可选择线性或平方根输出。
输出信号极限:Imin=3.9mA,Imax=20.5mA
报警电流
低报模式(小):3.7 mA
高报模式():21 mA
不报模式(保持):保持故障前的有效电流值
报警电流标准设置:高报模式
响应时间
放大器部件阻尼常数为0.1s;传感器时间常数为0.1~1.6s,取决于量程及量程比。附加的可调时间常数为:0.1~60s。
预热时间: lt; 15s
环境温度
-40~85℃
带液晶显示、氟橡胶密封圈时 -20~65℃
储存温度/运输温度
-50~85℃
带液晶显示时:-40~85℃
压力极限:从真空至量程。
过载极限:
量程6kPa
(1B)40kPa
(1C/1L)250kPa
(1D/1M)
过载极限16MPa16MPa16MPa
量程2(3)MPa
(1E/1O)10MPa
(1G)21MPa
(1H)40MPa
(1I)
过载极限16MPa20MPa25MPa45MPa
电磁兼容性(EMC):见下页《电磁兼容性附表》
3安装
电源及负载条件
电源电压为24V,R≤(Us-12V)/Imax kΩ
其中 Imax=23 mA
大电源电压:42VDC
小电源电压:12VDC,15VDC(背光液晶显示)
数字通讯负载范围: 230~600Ω
电气连接
M20X1.5电缆密封扣,接线端子适用于0.5~2.5mm2的导线。
过程连接
过程连接法兰的端面有NPT 1/4 和UNF 7/16``内螺纹。
4物理规格
材质
膜片: 不锈钢 316L、哈氏合金C
过程连接:不锈钢 316L
填充液: 硅油
变送器外壳:铝合金材质,外表喷涂环氧树脂
外壳密封圈:橡胶(NBR)
铭牌: 不锈钢 304
重量
3.3kg(无:液晶显示、安装支架、过程连接)
外壳防护等级:IP67
电磁兼容性附表
序号测试项目基本标准测试条件性能等级
1辐射干扰(外壳)GB/T 9254-2008表530MHz~1000MHz合格
2传导干扰
(直流电源端口)GB/T 9254-2008表10.15MHz~30MHz合格
3静电放电(ESD)抗扰度GB/T 17626.2-20064kV(触点)
8kV(空气)B
4射频电磁场抗扰度GB/T 17626.3-200610V/m (80MHz~1GHz)A
5工频磁场抗扰度GB/T 17626.8-200630A/m A
6电快速瞬变脉冲群抗扰度GB/T 17626.4-20082kV(5/50ns,5kHz)B
7浪涌抗扰度GB/T 17626.5-20081kV(线线之间)
2kV(线地之间)(1.2us/50us)B
8射频场感应的传导干扰抗扰度GB/T 17626.6-20083V (150KHz~80MHz)A
注:(1)A性能等级说明:测试时,在技术规范极限内性能正常。
(2)B性能等级说明:测试时,功能或性能暂时降低或丧失,但能自行恢复,实际运行状况、存储及其数据不改变。
外形尺寸 单位(mm)
水平配管连接方式(侧面) 水平配管连接方式(正面)
墙装连接方式 垂直配管连接方式
5 电气连接图
注:快捷接口功能等同于信号端子。
6 过程连接说明
单晶硅压力变送器产品参数