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仪表网供应网 压力仪表 压力变送器 扩散硅压力变送器DX800-扩散硅变送器
更新时间:2019-09-08
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产品详情
选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺,具有同类进口变送器的坚固性和可靠性,适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。主要技术参数 电源:24VCD 输出4-20mA二线制 零位可调范围:±5%FS 量程调节比:3:1以上 负载特性:负载在0~600Ω内(24VDC供电)维持恒流输出 隔爆型dⅡBT4,本安型iaⅡCT5 过压极限:2倍于上限压力 温度范围:过 程:-20~60℃ 环 境:-20~60℃ 储 藏:-40~80℃ 稳定性:±0.2%FS 重量:约1kg
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